RES R1 5W
|
Версия для печати
| Angle of Throw | Номинальная мощность: |
| Тип измеряемого давления | Способ монтажа: |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK1365 |
|
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOSHIBA |
|
|
|||
| 2SK1365 |
|
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOS |
|
|
|||
| 2SK1365 |
|
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS |
|
|
||||
 |
8ETH06 |
|
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
8ETH06 |
|
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | Vishay/Semiconductors |
|
|
||
 |
 |
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | 4 | 306.04 | ||
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50 |
|
Транзистор полевой | КИТАЙ |
|
|
|
 |
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON | 104 | 216.97 | |
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм |
|
740.12 | ||
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPW20N60C3 |
|
Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм | INFINEON TECH |
|
|
|
 |
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STW26NM60 |
|
N-Ch 600V 26A 313W 0,125R | STMicroelectronics |
|
|
