Версия для печати
Технические характеристики SPW20N60C3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Power - Max	208W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

SPW20N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool Mos Power Transistor Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SPW20N60C3 datasheet 259.26Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	INFINEON
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W			4.32
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	КИТАЙ
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	ТАИЛАНД
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	6 614	11.40
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		2 608	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	150 584	3.99
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 437	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	758	4.70
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	153 772	3.63
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	20 536	5.09
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.58
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.71
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	8.34
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	32 941	1.61
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	26 400	2.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	38 400	2.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	54 400	3.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.68
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	2	29.98
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...			99.92
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	1 269	41.04
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	196	297.66
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet		400	222.77
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"