2SK1365


Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS

Купить 2SK1365 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2SK1365
Версия для печати

Технические характеристики 2SK1365

Drain to Source Voltage (Vdss)1000V (1kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8 Ohm @ 4A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7A
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
Power - Max90W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)2-16F1B
КорпусTO-3P(N)IS
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    1N4747A20V     DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    1N4747A20V     0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    2РМДТ24КПН10Ш5В1В ОТ 200Г       Заказ радиодеталей цена радиодетали
SPW20N60C3 Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм   INFINEON 104 227.30 
SPW20N60C3 Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм     Заказ радиодеталей 740.12 
SPW20N60C3 Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
SPW20N60C3 Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
  КР1157ЕН1201Б (90-97г)     Заказ радиодеталей 16.12 
    КР1180ЕН12А       Заказ радиодеталей 23.04 
    КР1180ЕН12А     МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КР1180ЕН12А     ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход