|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16F1B |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМ22БПН4Г3В1 (АНАЛОГ) | 1 | 750.30 | ||||||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | 103 | 3 680.00 | ||||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | КОМ |
|
|
|||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | RUS |
|
|
|||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | ЭЛЕКОН | 20 | 3 013.89 | |||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | ИСЕТЬ | 12 | 2 888.96 | |||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | РОССИЯ |
|
|
|||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | ЛТАВА | 4 | 2 943.62 | |||
| 2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
|
вилка | ПОЛТАВА | 2 | 3 180.00 | |||
|
|
8ETH06 |
|
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
8ETH06 |
|
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | Vishay/Semiconductors |
|
|
||
| RES R1 5W |
|
|