![]() |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Power - Max | 90W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | 2-16F1B |
Корпус | TO-3P(N)IS |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2РМ22БПН4Г3В1 (АНАЛОГ) | 1 | 726.00 | ||||||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | 37 | 4 140.00 | ||||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | КОМ |
![]() |
![]() |
|||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | RUS |
![]() |
![]() |
|||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | ЭЛЕКОН | 26 | 4 462.50 | |||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | ИСЕТЬ | 12 | 3 810.24 | |||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | РОССИЯ |
![]() |
![]() |
|||
2РМДТ24КПН10Ш5В1В |
![]() |
вилка | ЛТАВА | 12 | 2 290.68 | |||
![]() |
8ETH06 |
![]() |
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
||
![]() |
8ETH06 |
![]() |
Диод 600V, 8A, 18nS (HyperFast) | Vishay/Semiconductors |
![]() |
![]() |
||
RES R1 5W |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|