Версия для печати
Технические характеристики SPW20N60C3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	114nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Power - Max	208W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

SPW20N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы) Cool Mos Power Transistor Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SPW20N60C3 datasheet 259.26Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	INFINEON
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W			4.32
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	КИТАЙ
		BCR133		Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W	ТАИЛАНД
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	4 591	7.08
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		965	2.96
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	40 867	5.47
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	24.20
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	3 304	8.27
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	358	4.66
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	46 984	3.08
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	8 280	4.83
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	3.18
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	77	11.35
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	20 667	1.83
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	6 000	2.03
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	45 600	2.19
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	22 272	2.47
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	6.69
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KEEN SIDE	80	2.86
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	8560
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...		8	74.00
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	INFINEON
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	1
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	YOUTAI
		IRF3205		Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...	JSMICRO	968	43.20
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP12NM50FP		N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"