|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BCR133 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BCR133 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W
|
|
|
4.32
|
|
|
|
BCR133 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCR133 |
|
Транзистор биполярный цифровой NPN Dig. 50V 0,1A 0,2W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
6 614
|
11.56
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
2 608
|
3.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
154 196
|
4.26
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
4 437
|
8.27
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
672
|
4.76
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
134 089
|
3.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
20 536
|
5.09
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.58
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
5.78
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
8.46
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
34 141
|
1.63
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
26 400
|
2.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
38 400
|
2.41
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
52 460
|
3.36
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
7.19
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
29.98
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
|
|
99.92
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF3205 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=55V, Id=110A@T=25C, Id=80A@T=100C, Rds=0.008 ...
|
JSMICRO
|
1 269
|
41.64
|
|
|
|
STP12NM50FP |
|
N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
196
|
297.66
|
|
|
|
STP12NM50FP |
|
N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet
|
|
400
|
222.77
|
|
|
|
STP12NM50FP |
|
N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP12NM50FP |
|
N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP12NM50FP |
|
N-channel 550v @ tjmax - 0.30? - 12a to-220fp mdmesh™ power mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|