2SK1365
Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| Power - Max | 90W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-16F1B |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
