BUL310

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BUL310	1	115.64

Версия для печати

Технические характеристики BUL310

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	75W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	6 @ 3A, 2.5V
Current - Collector Cutoff (Max)	250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.1V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500V
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BUL310 (Высоковольтные биполярные транзисторы)

High Voltage Fast-switching NPN Power Transistor, 1000V, 5A

Также в этом файле: BUL310PI

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

BUL310 datasheet
203.81Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BU1706A		PHILIPS
BU1706A			4	2 235.20
BU1706A		PHILIPS
BUL310FP	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS	ST MICROELECTRONICS
BUL310FP	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS			77.56
BUL310FP	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS	ГЕРМАНИЯ
BUL310FP	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS	ST1
BUL310FP	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS	ST MICROELECTRO
BUL310FP	Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS	ISCSEMI
L/H KHM-310AAA		SONY
L/H KHM-310AAA
К1235ЕН3БП				24.00
К1235ЕН3БП		МИНСК	11 546	48.76
К1235ЕН3БП		ИНТЕГРАЛ
К1235ЕН3БП		14598
КС680А	металл		4	368.00
КС680А	металл	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС680А	металл	НОВОСИБИРСК
КС680А	металл	СЗТП