2SD1266
Биполярный транзистор NPN 60V, 3A, 35W, 30MHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-220F-A1 |
| Корпус (размер) | TO-220F |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Power - Max | 2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 4V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 300µA |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SD1266 (Диоды и выпрямители) Silicon NPN triple diffusion planar type Также в этом файле: 2SD1266A
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SB941 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 35W, 30MHz | MATSUSHITA | 8 | 60.48 | |
|
|
|
2SB941 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 35W, 30MHz |
|
73.36 | ||
|
|
|
2SB941 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 60V, 3A, 35W, 30MHz | MAT |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB834Y | TOSHIBA |
|
|
|||||
| 2SB834Y |
|
|
||||||
| 2SB834Y | TOS |
|
|
|||||
| 2SD1406Y | TOSHIBA | 40 | 71.82 | |||||
| 2SD1406Y |
|
|
||||||
|
|
BUL310FP |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
BUL310FP |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS |
|
77.56 | |||
|
|
BUL310FP |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS | ГЕРМАНИЯ |
|
|
||
|
|
BUL310FP |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS | ST1 |
|
|
||
|
|
BUL310FP |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
BUL310FP |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 35W, Tf<150nS | ISCSEMI |
|
|
||
 |
|
IRF7469PBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRF7469PBF |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
IRF7469PBF |
|
|
|
|||
| MMBD7000 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBD7000 | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 1 321 |
|
|||||
| MMBD7000 | MCC |
|
|
|||||
| MMBD7000 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| MMBD7000 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| MMBD7000 | ONS |
|
|
|||||
| MMBD7000 |
|
|
||||||
| MMBD7000 | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| MMBD7000 | JSCJ | 98 261 |
1.50 >100 шт. 0.75 |
