| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
201 542
|
2.42
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
61 558
|
2.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
7 760
|
1.49
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 350 585
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
54 803
|
1.26
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 863
|
2.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 294 816
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
136 040
|
1.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
90 986
|
3.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
220 800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
20
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
52 127
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
589 516
|
1.01
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
XXW
|
756 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DC COMPONENTS
|
3 054
|
3.75
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
|
19 200
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DIOTEC
|
24
|
4.70
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
2 126
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
OTHER
|
16 615
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
1 335
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
2 986
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
HOTTECH
|
43 820
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
YJ
|
21 345
|
1.75
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
6000
|
|
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
|
|
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
DS-02 (SWD1-2) |
|
Переключатель 24В, 50мА, Dip, 2 конт. группы
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DT38-32.768KHZ |
|
|
KDS
|
|
|
|
|
|
|
DT38-32.768KHZ |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
|
|
480.40
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
МАЛЬТА
|
|
|
|
|
|
LIS302DL |
|
3-осевой, ±2g/±8g интеллектуальный датчик ускорения семейства piccolo с цифровым выходом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|