Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 100MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DC COMPONENTS
|
13 040
|
1.28
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
|
20 800
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DIOTEC
|
50
|
1.20
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
2 126
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
OTHER
|
16 615
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
1 335
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
2 986
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
HOTTECH
|
74 585
|
1.10
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
YJ
|
64 332
|
1.17
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
VISHAY
|
7 464
|
82.84
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
|
1 580
|
79.90
|
|
|
|
IRFBG30PBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to ...
|
INFINEON
|
344
|
144.65
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
|
|
45.12
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFL4105 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 3.7A, 2.1W
|
EVVO
|
678
|
18.98
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
|
|
60.44
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
L272M |
|
Сдвоенный Операционный усилитель ( Io=0.7A, t=-25.+85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
320
|
|
|
|
|
КВАРЦ 25МГЦ SMD7050 |
|
|
|
|
|
|