Версия для печати
Технические характеристики BC858B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BC856A PNP Silicon AF Transistors Также в этом файле: BC858B, BC858BC Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BC858B datasheet 275.03Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3129Г9				1 900	3.68
		КТ3129Г9			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129Г9			ДАЛЕКС	1 240	28.53
		КТ3129Г9			ЭЛЕКС	4	3.23
		КТ3129Г9			RUS
		КТ3129Г9			МИНСК
		КТ3129Г9			ИНТЕГРАЛ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	FAIR
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PHILIPS
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	FSC
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		16	15.04
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	FAIRCHILD
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	FAIRCHILD	14
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	624
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PHILIPS	636
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	MCC
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS	27 930	6.68
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS-FAIR
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NEXPERIA
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	228 795	1.48
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KLS
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	17 341	1.32
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	31 244	1.31
		BAV23S		2 импульсных диода (Vrrm=250V, Vr=400V, If=225mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	XXW	21 600	1.18
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	NXP
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	FAIR
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	PHILIPS
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	DC COMPONENTS	13 041	1.39
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450		20 800	1.54  >100 шт.   0.77
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	INFINEON
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	DIOTEC	50	1.37
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	GALAXY
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	NXP	2 126
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	OTHER	16 615
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	PHILIPS	1 335
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	INFINEON	2 986
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	КИТАЙ
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	ON SEMI/FAIRCH
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	ONSEMICONDUCTOR
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	GALAXY ME
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	SUNTAN
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	HOTTECH	77 610	1.06
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	ONS
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	YJ	65 668	1.16
		MMBF4392LT1G		N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBF4392LT1G		N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)			88.40
		MMBF4392LT1G		N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MMBF4392LT1G		N-канальный (Vgs=30V, Igf=50mA, P=225mW, T=-55 to +150C)	ONS	1 960	26.21
		SN74LVC2G04DBVR				2 402	7.25
		SN74LVC2G04DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	11	12.40
		SN74LVC2G04DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	56
		SN74LVC2G04DBVR			TEXAS	7 382	14.45
		SN74LVC2G04DBVR			TEXAS INSTRUMEN
		SN74LVC2G04DBVR			YOUTAI	7 887	3.48
		SN74LVC2G04DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	628
		U.FL-R-SMT-1(10)			HIROSE	2 312	26.35
		U.FL-R-SMT-1(10)					199.68
		U.FL-R-SMT-1(10)			HIROSE	16 892
		U.FL-R-SMT-1(10)			Hirose Electric Co Ltd
		U.FL-R-SMT-1(10)			HIROSE ELECTRIC

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"