| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DC COMPONENTS
|
3 054
|
3.83
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
|
19 200
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
DIOTEC
|
24
|
2.78
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
NXP
|
2 126
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
OTHER
|
16 615
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
PHILIPS
|
1 335
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
INFINEON
|
2 986
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
HOTTECH
|
40 008
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
YJ
|
21 345
|
1.78
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BC848B |
|
Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450
|
6000
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
|
|
13.60
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BFR93A |
|
Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт
|
INFINEON
|
54
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MUR
|
5 012
|
15.65
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
CSTCE8M00G55-R0 |
|
|
75
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
|
|
97.32
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
LM35DM |
|
|
20
|
|
|
|
|
|
|
PC817 (H11A817A.3SD) |
|
|
QTC
|
|
|
|