Версия для печати
Технические характеристики IRF5305

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF5305S (P-канальные транзисторные модули) 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5305S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF5305 datasheet 172.94Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY	1 178	683.61
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			492.40
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY/IR
		22МКФ 35В (6.3Х5)		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
		22МКФ 35В (6.3Х5)		Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 35В			14.40
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	62.37
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		3	74.00
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		MAC-2 О/С 160Х100 ММ МАКЕТНАЯ ПЛАТА					866.28
		П210А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный		203	239.20
		П210А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		П210А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	КВАЗАР
		П210А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный	ФОТОН

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"