Версия для печати
Технические характеристики IRF5305

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF5305S (P-канальные транзисторные модули) 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5305S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF5305 datasheet 172.94Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY	1 178	696.19
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			492.40
		VS-150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	62.37
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		3	74.00
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	MAXIM
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C			180.00
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	TEXAS INSTRUMENTS
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	TEXAS INSTRUMENTS	12
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	TEXAS
		MAX3232CD		Приемопередатчик RS-232 and V.28 , 250kbit/s , 2D/2R, C=0.1uF, Vs=3.05.5V, 0 to +70C	4-7 НЕДЕЛЬ	203
		SE090N		SMPS усилитель ошибки, 90V	SANKEN
		SE090N		SMPS усилитель ошибки, 90V	SK
		SE090N		SMPS усилитель ошибки, 90V			59.84
		SE090N		SMPS усилитель ошибки, 90V	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SE090N		SMPS усилитель ошибки, 90V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SE090N		SMPS усилитель ошибки, 90V	4-7 НЕДЕЛЬ	237
		РКГМ 1Х2.5		Провод жаростойкий			76.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"