| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-5.10K 1% |
|
ЧИП — резистор 5,1кОм, 1%, 0805
|
|
360
|
1.24
|
|
|
|
VS-150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
VISHAY
|
2 080
|
723.24
|
|
|
|
VS-150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
|
|
492.40
|
|
|
|
VS-150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
67.15
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
20
|
74.00
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MAX232D |
|
Двухканальный приемопередатчик RS-232 and V.28 (120kbit/s, 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C)
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX232D |
|
Двухканальный приемопередатчик RS-232 and V.28 (120kbit/s, 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
MAX232D |
|
Двухканальный приемопередатчик RS-232 and V.28 (120kbit/s, 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C)
|
|
|
67.20
|
|
|
|
MAX232D |
|
Двухканальный приемопередатчик RS-232 and V.28 (120kbit/s, 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4
|
|
|
|
|
MAX232D |
|
Двухканальный приемопередатчик RS-232 and V.28 (120kbit/s, 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
MAX232D |
|
Двухканальный приемопередатчик RS-232 and V.28 (120kbit/s, 2D/2R, C=1uF, Vs=5V, 0 to +70C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
309
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
|
390
|
51.80
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 721
|
97.12
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
14 169
|
33.92
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
18072
|
|
|
|