2SJ201
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-3P(L) |
| Корпус (размер) | TO-3P(L) (2-21F1B) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 150W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SJ201 (Полевые МОП транзисторы) P Channel Mos Type (high Power Amplifier Applications)
Производитель:
|
