2SK216

Версия для печати

Технические характеристики 2SK216

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30
Крутизна характеристики S,мА/В	40
Корпус	TO220AB
Пороговое напряжение на затворе	01.май

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB

2SK216 datasheet
33,81kB
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Цена, руб.
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz		76.04
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	TOSHIBA
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	TOS
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	NO TRADEMARK
2SA1012	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 5A, 25W, 60MHz	ISCSEMI
2SJ162+2SK1058 ПАРА	Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ	RENESAS
2SJ162+2SK1058 ПАРА	Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ		953.24
2SJ79		HITACHI
2SJ79			464.00
2SJ79		HIT
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	SANYO
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	RENESAS
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	RENS
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W		409.64
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	HITACHI
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	Renesas Electronics America
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	ТАИЛАНД
2SK1058	Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	NO TRADEMARK
BS107ARL1G		ONS
BS107ARL1G		ON Semiconductor
BS107ARL1G
BS107ARL1G		ON SEMICONDUCTO