2SK216

Версия для печати

Технические характеристики 2SK216

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30
Крутизна характеристики S,мА/В	40
Корпус	TO220AB
Пороговое напряжение на затворе	01.май

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB

2SK216 datasheet
33,81kB
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт			48.44
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOS
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	ФИЛИППИНЫ
2SA1837	Пара PNP+NPN транзисторов 230В, 1А, 70МГц, 20Вт	TOSHIBA
2SJ79		HITACHI
2SJ79				464.00
2SJ79		HIT
BC560B	Транзистор биполярный малой мощности	TOSHIBA
BC560B	Транзистор биполярный малой мощности			9.56
BC560B	Транзистор биполярный малой мощности	TOSHIBA
LM317LBD		ON SEMICONDUCTOR
LM317LBD		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM317LBD		UTC
LM317LBD				48.00
LM317LBD		ONS
LM317LBD		ON SEMICONDUCTOR
LM317LBD		ФИЛИППИНЫ
LM317LBD		4-7 НЕДЕЛЬ	76
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONS
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A		230	75.60
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	YJ
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMI
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONSEMICONDUCTOR
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTO