2SK216

Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА

Версия для печати

Технические характеристики 2SK216

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30
Крутизна характеристики S,мА/В	40
Корпус	TO220AB
Пороговое напряжение на затворе	01.май

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB

2SK216 datasheet
33,81kB
6стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOSHIBA
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...		1 281	20.46
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	TOS
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	СИНГАПУР
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	ISC
2SC4793	Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), ...	JSMICRO	1 144	19.08
2SJ79		HITACHI
2SJ79				464.00
2SJ79		HIT
IRF640NPBF	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	215	42.40
IRF640NPBF	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF640NPBF	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON	5 945	27.90
IRF640NPBF	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 462	17.54
LM337LM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM337LM		NSC
LM337LM				50.12
LM337LM		NATIONAL SEMICONDUCTOR	64
LM337LM		ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LM337LM		TEXAS INSTRUMENTS
LM337LM		TEXAS
LM337LM		4-7 НЕДЕЛЬ	727
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONS
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A		230	75.60
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	YJ
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMI
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONSEMICONDUCTOR
MUR820G	Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTO