Версия для печати
Технические характеристики 2SK216

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30
Крутизна характеристики S,мА/В	40
Корпус	TO220AB
Пороговое напряжение на затворе	01.май

Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB 2SK216 datasheet 33,81kB 6стр.

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1142 (KSA)			KEC
		2SA1142 (KSA)			FSC1
		2SC3856		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 180V, 15A, 130W, 20MHz (Comp. 2SA1492)	SANKEN
		2SC3856		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 180V, 15A, 130W, 20MHz (Comp. 2SA1492)	SK
		2SC3856		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 180V, 15A, 130W, 20MHz (Comp. 2SA1492)			165.44
		2SC3856		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 180V, 15A, 130W, 20MHz (Comp. 2SA1492)	ГЕРМАНИЯ
		2SC3856		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 180V, 15A, 130W, 20MHz (Comp. 2SA1492)	ISC
		2SC3856		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 180V, 15A, 130W, 20MHz (Comp. 2SA1492)	ISCSEMI
		2SJ79			HITACHI
		2SJ79					464.00
		2SJ79			HIT
		2SK1530		Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)	TOSHIBA
		2SK1530		Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)	TOS
		2SK1530		Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)			559.64
		2SK170		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)	TOSHIBA
		2SK170		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)			56.00
		2SK170		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92)	TOS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"