2SK1530

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SK1530		559.64

Версия для печати

Технические характеристики 2SK1530

Корпус	TO-3P(L)
Корпус (размер)	TO-3P(L) (2-21F1B)
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	150W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	900pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SK1530 (Полевые МОП транзисторы)

N Channel Mos Type (high Power Amplifier Application)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2SK1530 datasheet
184.19Kb
3стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
120PF/50V NPO
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	SANYO
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	SAN
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz			27.36
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	США
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	NEC
2SC3953	Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	КИТАЙ
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)	TOSHIBA
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)	TOS
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)			566.20
2SJ201	Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530)	КИТАЙ
KBPC5010 50A 1000V (MB5010)	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм		2 731	86.70
ТЕРМОУСАДКА Ф3 ЗЕЛЕНЫЙ			1 080	7.70
ТЕРМОУСАДКА Ф3 ЗЕЛЕНЫЙ			1 080	7.70
ТЕРМОУСАДКА Ф3 ЗЕЛЕНЫЙ		RUICHI	100	13.00