2SK1530
Транзистор полевой N-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SJ201)
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-3P(L) |
| Корпус (размер) | TO-3P(L) (2-21F1B) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 150W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SK1530 (Полевые МОП транзисторы) N Channel Mos Type (high Power Amplifier Application)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1109C |
|
Биполярный транзистор | HITACHI |
|
|
|||
| 2SB1109C |
|
Биполярный транзистор | HIT |
|
|
|||
| 2SB1109C |
|
Биполярный транзистор |
|
18.32 | ||||
| 2SB1109C |
|
Биполярный транзистор | США |
|
|
|||
| 2SB1109C |
|
Биполярный транзистор | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||
| 2SB1109C |
|
Биполярный транзистор | NTM |
|
|
|||
 |
 |
2SJ162+2SK1058 ПАРА |
|
Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ | RENESAS |
|
|
|
|
|
|
2SJ162+2SK1058 ПАРА |
|
Комплементарная пара для выходного каскада УНЧ |
|
953.24 | ||
 |
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) |
|
566.20 | ||
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | КИТАЙ |
|
|
|
| 470МКФ 50 (13X21)105°C |
|
|
||||||
 |
КП903Б |
|
186.00 | |||||
|
|
КП903Б | ПУЛЬСАР |
|
|
