| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SA970 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SA970 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)
|
|
|
18.08
|
|
|
|
|
2SA970 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SA970 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 0.1A, 0.3W, 100MHz (Comp. 2SC2240)
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА
|
|
|
|
|
|
|
|
2SK216 |
|
Транзистор N-канальный MOSFET TO-220AB, 200В, 500мА
|
HIT
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
800
|
28.78
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
96.90
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
|
23
|
72.10
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
797
|
106.00
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ850А |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN усилительный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
|
307
|
89.25
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
26
|
79.05
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
БРЯНСК
|
540
|
102.00
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
