|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-3P(L) |
| Корпус (размер) | TO-3P(L) (2-21F1B) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 150W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
2SK1530 (Полевые МОП транзисторы) N Channel Mos Type (high Power Amplifier Application)
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1370E |
|
|
||||||
| 2SA1370E |
|
|
||||||
| 2SA1370E | SANYO | 8 | 60.48 | |||||
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) |
|
566.20 | ||
|
|
|
2SJ201 |
|
Биполярный транзистор P-MOS Hi-Fi, 200V, 12A, 150W (Comp. 2SK1530) | КИТАЙ |
|
|
|
| 4700МКФ 50 (25X40)105°C |
|
|
||||||
| 6Н23П-ЕВ |
|
1 512.00 | ||||||
| 6Н23П-ЕВ | RUS |
|
|
|||||
| ВТУЛКА ИЗОЛ. IN220SW TO220 6 MM |
|
|
||||||
| ВТУЛКА ИЗОЛ. IN220SW TO220 6 MM | ГЕРМАНИЯ |
|
|
|||||
| ВТУЛКА ИЗОЛ. IN220SW TO220 6 MM | FISCHER |
|
|