MMBT2222ALT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
MMBT2222ALT1 (INFINEON.)	53	3-4 недели Цена по запросу
MMBT2222ALT1 (MOTOROLA.)	2 598	3-4 недели Цена по запросу
MMBT2222ALT1 (OTHER.)	308	3-4 недели Цена по запросу
MMBT2222ALT1 (NATIONAL SEMICONDUCTOR.)	412	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT2222ALT1

Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	330mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	PG-SOT23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBT2222ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: MMBT2222ALT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBT2222ALT1 datasheet
128.66Kb
8стр.