| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-47.0K 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
6
|
7.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
306 216
|
1.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
75 856
|
1.59
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
53 031
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
655 107
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
230 234
|
1.26
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 917 854
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
744 023
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
178 195
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
96 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
548
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
200 484
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
376 919
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
80
|
0.63
>500 шт. 0.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
80
|
0.66
>500 шт. 0.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
80
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
|
|
6.40
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
19 023
|
7.53
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-132XID |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT1
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC
|
86 023
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
|
85 360
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
FAIRCHILD
|
1 388
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
20
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
170
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YJ
|
366 117
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
HOTTECH
|
28 054
|
1.54
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE
|
45 600
|
1.10
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
SEMTECH
|
23 383
|
1.71
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
JSCJ
|
77 692
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
KEEN SIDE
|
18 981
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
3000
|
1
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
MMBT2907A |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA
|
5800
|
1
|
0.90
>500 шт. 0.30
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
|
26.28
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
346
|
|
|