Версия для печати
Технические характеристики SQCB7M470JAJME

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	SQ
Емкость	47pF
Номинальное напряжение	500V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Температурный коэфициент	M
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C
Сфера применения	RF, Microwave, High Frequency
Корпус (размер)	1210 (3225 Metric)
Size / Dimension	0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm)
Thickness	0.102" (2.59mm)
Возможности	High Q, Low Loss
Тип	Керамический
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	30 224	2.12
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		20 400	1.11
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	998
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	105
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	408	5.47
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 344	1.20
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	23 048	1.34
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	11 200	1.54
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	11 424	2.12
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YJ	16 464	1.58  >100 шт.   0.79
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KEEN SIDE	20 008	1.28  >100 шт.   0.64
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNCON (SUN ELEC INDUSTRIES)
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET			15.88
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	КИТАЙ
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	49 119	3.25
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN	24	6.12
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEENSIDE	3	4.62
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	PLINGSEMIC	17 760	1.89
		IRLML5103		Транзистор полевой P-канальный MOSFET	2759
		LG400M0068BPF-2225		Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 400 В	YAGEO
		LG400M0068BPF-2225		Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG400M0068BPF-2225		Электролитический алюминиевый конденсатор 68 мкФ 400 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	MOTOROLA
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD			2.56
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	INFINEON
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	INFINEON	53
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	MOTOROLA	2 598
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	OTHER	308
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	Infineon Technologies
		MMBT2222ALT1		Полевой транзистор SMD	NATIONAL SEMICONDUCTOR	412
		SH400M0033B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В	YAGEO
		SH400M0033B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH400M0033B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH400M0033B7F-1625		Электролитический алюминиевый конденсатор 33мкФ, 400 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"