| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
|
6 536
|
3.05
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
DIODES INC.
|
76
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
MIC
|
9 424
|
3.46
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR302 |
|
Импульсный диод 3А,100 В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
|
|
107.20
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
IR/VISHAY
|
121
|
375.15
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
568
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
81.20
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
15
|
79.55
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
8
|
20.26
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
11 584
|
14.34
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
21 548
|
2.61
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
44 840
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
350
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
16 508
|
1.05
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
27 400
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
6 799
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
7 722
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
40
|
175.68
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
|
544
|
131.71
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
1
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
761
|
|
|