BAT54AW

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BAT54AW	31 200	2.00 >100 шт. 1.00
BAT54AW (NXP.)	289	3-4 недели Цена по запросу
BAT54AW (PHILIPS.)	409	3-4 недели Цена по запросу
BAT54AW (DIOTEC)	2 376	3.70
BAT54AW (JSCJ)	9 012	1.14

Версия для печати

Технические характеристики BAT54AW

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	800mV @ 100mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Reverse Leakage @ Vr	2µA @ 25V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	200mA (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Reverse Recovery Time (trr)	5ns
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Configuration	1 Pair Common Anode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BAT54AW (Диоды Шоттки)

Ограничительный диод Шоттки с общим анодом

Производитель:
NXP

BAT54AW datasheet
34.3 Кб

Наименование	Производитель	Количество	Цена, руб.
B82464G4472M000	EPCOS
B82464G4472M000
B82464G4472M000	TDK-EPC
B82464G4472M000	TDK (EPCOS)
B82464G4472M000	TDK EPCOS
BLM15HG102SN1D	MUR	386 655	1.50 >500 шт. 0.50
BLM15HG102SN1D	MURATA	56 644	1.67
BLM15HG102SN1D	MURATA	17 133
BLM15HG102SN1D		40	54.44
BLM15HG102SN1D	Murata Electronics North America
BLM15HG102SN1D	MURATA*
BLM15HG102SN1D	0.00
MBRA340T3G	ON SEMICONDUCTOR
MBRA340T3G		4 000	12.78
MBRA340T3G	ONS	7 637	20.18
MBRA340T3G	ON SEMICONDUCTOR
MBRA340T3G	ON SEMICONDUCTO
MBRA340T3G	ONSEMICONDUCTOR
MBRA340T3G	KLS
MBRA340T3G	TOKMAS	31 536	4.31
MBRA340T3G	FUXIN	15 020	5.54
TLP290-4(GB-TP,E(T	TOSHIBA
TPS61161ADRVT	TEXAS INSTRUMENTS
TPS61161ADRVT	TEXAS INSTRUMENTS
TPS61161ADRVT	TEXAS
TPS61161ADRVT
TPS61161ADRVT	4-7 НЕДЕЛЬ	213