| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
43
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
3
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
OTHER
|
162
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
NS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
|
9 493
|
1.47
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
KEISUM
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
YJ
|
8 323
|
2.48
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
HOTTECH
|
4 913
|
2.73
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
13 156
|
1.22
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
MERRYELC
|
19 491
|
2.53
|
|
|
|
1N4746A |
|
Стабилитрон 18В, 1Вт
|
840
|
1
|
1.61
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
|
56 942
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
3 409
|
1.93
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
OTHER
|
12 800
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
1 424
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
8
|
1.50
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
7 139
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
236 571
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
14 400
|
2.07
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
4
|
2.82
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YOUTAI
|
115 676
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
8 073
|
1.90
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
417 743
|
1.07
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 600
|
1.09
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
220
|
1.49
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
2785
|
|
|
|
|
|
BC807-40 |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
765
|
80
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
|
|
150.00
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
FES16JT |
|
Диод сверхбыстрый 50нс, 600В, 15А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
44
|
55.50
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
28
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
155
|
286.20
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
|
2 047
|
345.95
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STTH6003CW |
|
Диод быстродействующий 300В, 30А, 55нс
|
1
|
|
|
|