| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
|
|
90.40
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
SOLID STATE DEVICES
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
9
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N2907A |
|
Транзистор PNP, 60V, 0.6A, 0.4W, 200MHz
|
КИТАЙ
|
176
|
10.50
|
|
|
|
|
2SD1616K |
|
|
NEC
|
26
|
32.01
|
|
|
|
|
2SD1616K |
|
|
|
|
47.56
|
|
|
|
|
2SD1616K |
|
|
|
|
47.56
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
|
320
|
10.00
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
7 741
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
15.88
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
45 060
|
4.03
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
24
|
6.60
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
3
|
4.99
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
PLINGSEMIC
|
14 918
|
2.31
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
2759
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
12.83
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
|
|
20.24
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
TRR
|
|
|
|