| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
|
224
|
3.72
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
DC COMPONENTS
|
31 564
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
EIC
|
889
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
SEMTECH
|
1 724
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
KLS
|
38 400
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
LGE
|
36 397
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V6 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W ZPD 3V6
|
1112
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
30 200
|
1.86
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
20 400
|
1.11
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
408
|
5.47
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
1 042
|
1.42
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
22 248
|
1.55
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
11 200
|
1.78
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
11 424
|
1.86
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
14 984
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KEEN SIDE
|
19 632
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNCON (SUN ELEC INDUSTRIES)
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
15.88
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
40 112
|
4.38
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
24
|
7.27
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
3
|
5.38
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
PLINGSEMIC
|
1 289
|
2.53
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
2759
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
23 552
|
2.47
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
14.11
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
|
|
20.24
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML5103TR |
|
P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
11 100
|
2.92
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
40 840
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
24
|
1.06
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
46 892
|
2.07
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
3 932
|
2.98
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
3 964
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KEEN SIDE
|
6 626
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSMICRO
|
309
|
1.50
|
|