BZV55-B3V3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BZV55-B3V3 (KEEN SIDE)	5 123	1.66 >100 шт. 0.83

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-B3V3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	3.3V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	95 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-80C
Корпус	LLDS; MiniMelf
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BZV55 (Стабилитроны)

Zener Diodes

Также в этом файле: BZV55-B3V3, BZV55-B3V3

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

BZV55-B3V3 datasheet
242.9Kb
7стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D226X0035E2T		VISHAY
293D226X0035E2T		VISHAY	1 280
BZV55-B5V1	Стабилитрон импортный 5.1 ... 5.3В, кремниевй для SMDмонтажа	NXP
BZV55-B5V1	Стабилитрон импортный 5.1 ... 5.3В, кремниевй для SMDмонтажа	PHILIPS
BZV55-B5V1	Стабилитрон импортный 5.1 ... 5.3В, кремниевй для SMDмонтажа	NXP
BZV55-B5V1	Стабилитрон импортный 5.1 ... 5.3В, кремниевй для SMDмонтажа	PHILIPS
BZV55-B5V1	Стабилитрон импортный 5.1 ... 5.3В, кремниевй для SMDмонтажа	KEEN SIDE
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MURATA
LQH32CN4R7M33L	Индуктивность чип на феррите 4.7мкГн, 20%, 650мА (1210)	MUR	27 143	5.40
PEC16-4220F-N0024		BOURNS
PEC16-4220F-N0024
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		DEN
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		DEGSON ELECTRONICS
ЗАЖ.DG141R-10P (2.54MM)		КИТАЙ