MC14066BD


(G) (SMD) SO14

Купить MC14066BD по цене 37.80 руб.  (без НДС 20%)
MC14066BD
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MC14066BD (ON SEMICONDUCTOR) 26 37.80 
MC14066BD 5 41.58 

Версия для печати

Технические характеристики MC14066BD

Корпус14-SOIC (Narrow)
Корпус (размер)14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-55°C ~ 125°C
Ток выходной360nA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)±3 V ~ 18 V
Напряжение питания источникаDual Supply
Сопротивление (On-State)280 Ohm
ФункцияMultiplexer
Каналы4 x 1:1
Серия4000B
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MC14066B

Quad Analog Switch / Quad Multiplexer

Также в этом файле: MC14066BD, MC14066BDR2, MC14066BDT, MC14066BDTEL, MC14066BDTR2

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MC14066BD datasheet
143.78Kb
12стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   INTERNATIONAL RECTIFIER 8 102.06 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)     1 211.68 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   SILICONIX 34 цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   ST MICROELECTRONICS 8 102.06 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS 12 303 13.43 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...     7 494 9.97 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS 2 977 20.11 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXASINSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   4-7 НЕДЕЛЬ 548 цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   MICRO CHIP 4 208 130.90 
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz     136 125.80 
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   MCHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   4-7 НЕДЕЛЬ 249 цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...     1 159 32.02 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   КРЕМНИЙ 911 22.68 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ТРАНЗИСТОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   БРЯНСК 800 39.90 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   КРЕМН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ЭЛЬТАВ 3 479 16.80 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...     1 476 37.80 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   КРЕМНИЙ 532 26.46 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   БРЯНСК 2 555 37.80 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ЭЛЬТАВ 4 032 16.80 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход