| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
|
|
1 240.00
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
36
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
DS90LV028ATM |
|
Интерфейс LVDS Количество приемо/передатчиков: 0/2, RS644, 3 V ~ 3.6 V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
|
HSMS-2802 |
|
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
|
HSMS-2802 |
|
|
|
|
81.64
|
|
|
|
|
HSMS-2802 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
110.09
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
|
1
|
211.68
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
SILICONIX
|
34
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
110.09
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
1
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
414
|
93.49
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
|
248
|
104.27
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
205
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
772
|
32.02
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
26.55
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 152
|
40.28
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 332
|
16.96
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
3940
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
4249
|
|
|
|