IRF7703

Версия для печати

Технические характеристики IRF7703

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5220pF @ 25V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус	8-TSSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7703 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7703 datasheet
194.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TPS62007DGS	Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
TPS62007DGS	Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C			399.24
TPS62007DGS	Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS INSTRUMENTS
TPS62007DGS	Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	TEXAS
TPS62007DGS	Имп. пониж. рег. напряжен. 2 ~ 5.5 V 3.3V 600mA 555mW , t=--40°C ~ 85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	246
МС2-4 ЗЕЛЕНЫЙ				3 600.00
СП5-3В - 1 ВТ 100 ОМ
ЭКФ1533АП5				55.20
ЭКФ1533АП5		ЗПП
ЭКФ1533АП5		ЗПП МИНСК
ЭКФ1533АП5		МИНСК
ЭКФ1533АП5		ИНТЕГРАЛ
ЭКФ1533АП5		RUS
ЭКФ1533ЛП8	(D) (SN74LS125AD) (98-02)		81	9.20
ЭКФ1533ЛП8	(D) (SN74LS125AD) (98-02)		81	9.20
ЭКФ1533ЛП8	(D) (SN74LS125AD) (98-02)	МИНСК
ЭКФ1533ЛП8	(D) (SN74LS125AD) (98-02)	ИНТЕГРАЛ