MC14066BD


(G) (SMD) SO14

Купить MC14066BD по цене 37.80 руб.  (без НДС 20%)
MC14066BD
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MC14066BD (ON SEMICONDUCTOR) 26 37.80 
MC14066BD 5 41.58 

Версия для печати

Технические характеристики MC14066BD

Корпус14-SOIC (Narrow)
Корпус (размер)14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-55°C ~ 125°C
Ток выходной360nA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)±3 V ~ 18 V
Напряжение питания источникаDual Supply
Сопротивление (On-State)280 Ohm
ФункцияMultiplexer
Каналы4 x 1:1
Серия4000B
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MC14066B

Quad Analog Switch / Quad Multiplexer

Также в этом файле: MC14066BD, MC14066BDR2, MC14066BDT, MC14066BDTEL, MC14066BDTR2

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MC14066BD datasheet
143.78Kb
12стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    BCP51       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BCP51     FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BCP51     Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BCP51     NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    BCP51     NXP 440 цена радиодетали
    BCP51     JSCJ 4 185 4.04 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   INTERNATIONAL RECTIFIER 8 102.06 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)     1 211.68 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   SILICONIX 34 цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   ST MICROELECTRONICS 8 102.06 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM7805 Стабилизатор напряжения линейный 5V, 1А   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM7805 Стабилизатор напряжения линейный 5V, 1А   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM7805 Стабилизатор напряжения линейный 5V, 1А     Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM7805 Стабилизатор напряжения линейный 5V, 1А   CDIL 932 34.96 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS 15 204 13.43 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...     6 490 9.97 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS 7 846 24.90 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXASINSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   4-7 НЕДЕЛЬ 755 цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...     1 667 37.80 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   КРЕМНИЙ 400 28.35 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   БРЯНСК 2 555 37.80 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ЭЛЬТАВ 4 016 16.80 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход