MC14066BD


(G) (SMD) SO14

Купить MC14066BD по цене 41.38 руб.  (без НДС 20%)
MC14066BD
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MC14066BD (ON SEMICONDUCTOR) 26 41.38 
MC14066BD 4 41.58 

Версия для печати

Технические характеристики MC14066BD

Корпус14-SOIC (Narrow)
Корпус (размер)14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-55°C ~ 125°C
Ток выходной360nA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)±3 V ~ 18 V
Напряжение питания источникаDual Supply
Сопротивление (On-State)280 Ohm
ФункцияMultiplexer
Каналы4 x 1:1
Серия4000B
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MC14066B

Quad Analog Switch / Quad Multiplexer

Также в этом файле: MC14066BD, MC14066BDR2, MC14066BDT, MC14066BDTEL, MC14066BDTR2

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MC14066BD datasheet
143.78Kb
12стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   INTERNATIONAL RECTIFIER 8 110.09 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)     1 211.68 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   SILICONIX 34 цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   ST MICROELECTRONICS 8 110.09 
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF840A Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS 15 825 21.20 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...     51 37.80 
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   TEXASINSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555P Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...   4-7 НЕДЕЛЬ 755 цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   MICRO CHIP 379 86.23 
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz     208 104.27 
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   MCHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
  PIC12F509-I/P 1Kx12 Flash 6I/O 4MHz   4-7 НЕДЕЛЬ 205 цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...     614 25.76 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   КРЕМНИЙ 52 26.55 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ТРАНЗИСТОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   БРЯНСК 3 152 40.28 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   КРЕМН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ЭЛЬТАВ 3 332 16.96 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   3940 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   4249 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...     585 22.08 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   КРЕМНИЙ 480 32.79 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   БРЯНСК 2 555 38.16 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   УЛЬЯНОВСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   ЭЛЬТАВ 3 521 16.96 
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   257 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   3194 Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ817В Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...   4316 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход