IRFPG50

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFPG50	4	306.04

Версия для печати

Технические характеристики IRFPG50

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 3.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	190nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2800pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFPG50 (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFPG50 datasheet
213.11Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93			219.64
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93	TOSHIBA
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93	TOS
2SK1120	Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93	ФИЛИППИНЫ
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS	TOSHIBA
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS	TOS
2SK1365	Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS
DHRB34C221M2BB	Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф	MURATA
DHRB34C221M2BB	Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф			44.32
DHRB34C221M2BB	Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф	MUR
SPW20N60C3	Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм	INFINEON	79	227.30
SPW20N60C3	Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм			740.12
SPW20N60C3	Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм	Infineon Technologies
SPW20N60C3	Полевой транзистор 20A, 600В, 190мОм	INFINEON TECH
ТВС-110Л3			1	1 932.00
ТВС-110Л3			1	1 932.00