Версия для печати
Технические характеристики 2SA733

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	50MHz
Power - Max	625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

2SA733 PNP SILICON TRANSISTOR Также в этом файле: 2SA733K Производитель: NEC //www.ncsd.necel.com 2SA733 datasheet 237.96Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	3 710	1.84
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		12 000	1.10  >100 шт.   0.55
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO	1 220
		2SA1015		Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	HOTTECH
		2SA564A			MITSUBISHI
		2SA844			HITACHI
		2SA844			HIT
		2SA933		Биполярный транзистор S-P 50В 0.1A 140МГц	ROHM	1 574	4.11
		2SA933		Биполярный транзистор S-P 50В 0.1A 140МГц		3	30.24
		2SA984		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 0,5A, 0,6W, 120MHz	SANYO
		2SA984		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 0,5A, 0,6W, 120MHz	SAN
		2SA984		Биполярный транзистор Si-P, 60V, 0,5A, 0,6W, 120MHz			23.56
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz		23 983	2.00  >100 шт.   1.00
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	NEC
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	DC COMPONENTS	854	1.95
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	КИТАЙ
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	5 397	1.67
		BC558		Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA	FAIR
		BC558		Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA	FAIRCHILD
		BC558		Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA	FAIRCHILD
		BC558		Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA	Fairchild Semiconductor
		BC558		Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA
		BC558		Транзистор биполярный малой мощности PNP, 30В, 100мA	1
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		1	7.40
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	537	10.96
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	5 504	13.02
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		340	11.04
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	10.96
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	1 321	12.60
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		437	11.04
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	540	10.96
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 188	12.60
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.66

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	5 158	1.88  >100 шт.   0.94
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	73 741	1.05
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	847	2.27
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	173 351	1.69
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	15 583	1.26  >100 шт.   0.63
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	21 849	1.40  >100 шт.   0.70
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DI
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	7 200	1.05
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В		206 490	5.55
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	103 662	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	76 114	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	73 086	1.46  >100 шт.   0.73
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	17 439	1.05
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.68  >100 шт.   0.84
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	1
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	827	1.86  >100 шт.   0.93
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	46 800	1.20  >100 шт.   0.60
		1N4148		Импульсный диод 150 мА,100В	CTK	40 362	1.66  >100 шт.   0.83
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	4 964	3.01
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	11 088	2.18
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	23 943	2.01
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	320	3.15
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		14 363	1.83
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	828	3.28
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	16 000	2.48
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz		23 983	2.00  >100 шт.   1.00
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	NEC
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	DC COMPONENTS	854	1.95
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	КИТАЙ
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DIODES
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DC COMPONENTS	51 464	2.87
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MCC
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS		3	15.12
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	WTE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	КИТАЙ
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIC	13 449	1.73
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KINGTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY ME
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YJ	304	4.13
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KLS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SUNTAN
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE	12 400	2.90
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE (YJ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIG
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SEMTECH	124	5.28
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	OLITECH	48	2.42
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	1
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MDD	528	2.46
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	RUME	10 800	1.70
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	TRR ELECTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GOODWORK	3 264	2.86
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERSIL
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.		956	39.39
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	КИТАЙ
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"