| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
|
|
139.20
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP4N90C |
|
N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт
|
ONS-FAIR
|
223
|
91.20
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
30 142
|
1.86
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
19 600
|
1.11
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
408
|
5.47
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
1 027
|
1.39
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
22 248
|
1.54
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
11 200
|
1.78
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
11 424
|
1.86
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
14 984
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KEEN SIDE
|
19 632
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNCON (SUN ELEC INDUSTRIES)
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
|
15.88
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
40 112
|
4.34
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
24
|
7.09
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
3
|
5.42
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
PLINGSEMIC
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
2759
|
|
|
|
|
|
IRLML5103 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KEEN SIDE
|
23 552
|
2.41
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
2.56
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
INFINEON
|
53
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MOTOROLA
|
2 598
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
OTHER
|
308
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1 |
|
Полевой транзистор SMD
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
412
|
|
|
|
|
|
SQCB7M470JAJME |
|
|
AVX
|
|
|
|
|
|
|
SQCB7M470JAJME |
|
|
AVX
|
|
|
|
|
|
|
SQCB7M470JAJME |
|
|
AVX Corporation
|
|
|
|
|
|
|
SQCB7M470JAJME |
|
|
|
|
|
|