| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.42
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
3 614
|
2.00
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
149 720
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP
|
3 732
|
2.12
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
|
13 750
|
1.10
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DC COMPONENTS
|
16 330
|
1.24
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
13 296
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NEXPERIA
|
35
|
1.08
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DIOTEC
|
2 354
|
3.37
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
HOTTECH
|
9 060
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
KLS
|
21 600
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YJ
|
290 848
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE
|
124
|
1.26
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
JSCJ
|
68 299
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SUNTAN
|
80
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
4666
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
XXW
|
3 924
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
800
|
80
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
TRR
|
2 384
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 324
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
8 656
|
9.30
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
|
8 976
|
8.16
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
532
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2502TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)
|
TRR
|
58
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
22 208
|
8.27
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
328
|
12.88
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
336
|
4.13
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
40.28
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
192
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
206
|
|
|