| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 2V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 350mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Tolerance | ±5% |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
|
|
197.92
|
|
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADA4851-2YRMZ |
|
Low Cost Voltage Feedback RR Dual
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
339
|
|
|
|
|
ADG712BR |
|
4 Ключа SPST 4 NC, 2.5 Ом, +1.8V to +5.5V RAIL, BW=200MHz, Ton/off=13/7nsec SOIC -40.+85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADG712BR |
|
4 Ключа SPST 4 NC, 2.5 Ом, +1.8V to +5.5V RAIL, BW=200MHz, Ton/off=13/7nsec SOIC -40.+85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
1
|
11.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
239 498
|
2.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
44 459
|
2.77
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
46 871
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 476 650
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
426
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
97 715
|
1.14
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
2 865
|
2.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 514 606
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
487 782
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
122 963
|
1.82
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
263 200
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
490
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
8 384
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 686
|
1.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
173 220
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
19480
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
22054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
643
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
1054
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
543
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOUYANGJIEEL
|
591 996
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
|
25 990
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP
|
4 800
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
FAIRCHILD
|
8 158
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
HOTTECH
|
37 728
|
1.32
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YJ
|
119 283
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
PHILIPS
|
1 406
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
JSCJ
|
96 524
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
MXP
|
2 400
|
1.79
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
1858
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
3000
|
|
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
XXW
|
28 976
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BZX84C3V3 |
|
Стабилитрон универсальный PV=0.225W, Vz=3.3V, Izt=5mA
|
190
|
|
|
|
|
|
|
TPS76325DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
3
|
41.27
|
|
|
|
|
TPS76325DBVT |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TPS76325DBVT |
|
|
|
|
53.76
|
|
|
|
|
TPS76325DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
|
|
|
|
|
TPS76325DBVT |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
TPS76325DBVT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
544
|
|
|