| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 431
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
16 910
|
23.76
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
|
6 296
|
8.52
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TRR
|
88
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
3 888
|
11.37
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
328
|
7.36
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
192
|
4.13
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
40.28
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
192
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
206
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
172
|
289.30
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
|
256
|
244.55
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
VISHAY
|
1 229
|
8.95
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
576
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
TVS
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
1537
|
|
|
|