|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP
|
2 376
|
2.10
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
|
41 030
|
1.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DC COMPONENTS
|
29 705
|
1.36
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
FAIRCHILD
|
13 296
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NEXPERIA
|
35
|
1.04
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
GALAXY ME
|
753
|
1.52
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
HOTTECH
|
214 628
|
1.38
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YJ
|
335 802
|
2.07
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
JSCJ
|
102 074
|
1.34
|
|
|
|
BZX84C5V6 |
|
Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА
|
SUNTAN
|
476
|
1.68
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 431
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
51 512
|
10.74
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
|
8 216
|
9.73
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TRR
|
6 160
|
4.13
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
40.28
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
192
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-3.08 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=3.08V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
206
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
1 517
|
266.81
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
|
332
|
232.79
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F887-I/PT |
|
8Kx14 Flash, 36I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
696
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
VISHAY
|
1 229
|
10.50
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
576
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
TVS
|
|
|
|
|
|
SMAJ5.0CA-E3/61 |
|
|
|
|
|
|