Версия для печати
Технические характеристики NCP3335ADM330R2G

Производитель	ON Semiconductor Corporation
Количество в упаковке	4000 шт.
Вес	0.109 г
Тип стабилизатора	LDO
Тип выхода	Fixed
Входное напряжение	3.64…12 В
Выходное напряжение	3.3В @ 0.5А
Падение напряжения (тип.)	340 мВ
Корпус (размер)	MICRO8
	High Accuracy, Low Iq 500 mA LDO with Reverse

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	PHILIPS	400	6.05
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	DC COMPONENTS	11 559	3.19
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	VISHAY
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	DIOTEC
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	PHILIPS	3 060
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...		52 800	1.11
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	MICROSEMI CORP	630
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	NXP
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...		52 800	1.11
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	NXP	1 648
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	INFINEON	800	6.05
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	YJ	18 263	1.23
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	JSCJ	17 961	1.03
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	JY
		BAS40-05		Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...	HOTTECH	1 584	1.36
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	INFINEON
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	NXP
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	SIEMENS
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	DC COMPONENTS
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом		56 000	2.00  >100 шт.   1.00
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	DIOTEC
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	INFINEON	68
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	NXP	19 200
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	SIEMENS
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом		56 000	2.00  >100 шт.   1.00
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	YJ	8 677	1.60  >100 шт.   0.80
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	HOTTECH	7 040	2.07
		BAS40-06		Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом	JSCJ	23 471	1.48  >100 шт.   0.74
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт		77 312	1.12
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	INFINEON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS	800	7.56
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	MCC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DC COMPONENTS	8 418	2.12
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	UTC	40	5.71
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	DIOTEC	34 061	2.47
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ON SEMICONDUCTOR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ONS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NXP	2 497
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	STMicroelectronics
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	PHILIPS SEMIC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	КИТАЙ
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KINGTRON
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	GALAXY ME
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	HOTTECH	1 422 117	1.38
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	LRC
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	KLS
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEXPERIA
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YJ	714 148	1.20
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE (YJ)
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	NEX-NXP
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	101	1.72
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	ZH
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	YANGJIE
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	TRR
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	SUNTAN	1 635 604	2.00  >100 шт.   1.00
		BC817-40		Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт	1
		M25P80-VMN6TP			Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
		M25P80-VMN6TP			MICRON	139	150.57
		M25P80-VMN6TP			ST MICROELECTRONICS SEMI
		M25P80-VMN6TP			ST MICROELECTRONICS
		M25P80-VMN6TP
		M25P80-VMN6TP			MICRON TECHNOLOGY,INC
		M25P80-VMN6TP			4-7 НЕДЕЛЬ	270
		P89LPC935FDH,529			NXP Semiconductors
		P89LPC935FDH,529			NXP

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"