|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
400
|
6.05
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
11 347
|
2.35
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
3 060
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 400
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
630
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 400
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
1 648
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
INFINEON
|
800
|
6.05
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
YJ
|
15 026
|
1.26
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JSCJ
|
5 361
|
1.13
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
HOTTECH
|
1 418
|
1.47
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
|
56 000
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
INFINEON
|
68
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
NXP
|
19 200
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
|
56 000
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
YJ
|
8 509
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
HOTTECH
|
7 040
|
1.72
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
JSCJ
|
23 325
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
74 111
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
37 178
|
2.36
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
6.22
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
23 860
|
3.34
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
169 239
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
2 242 280
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
101
|
1.84
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
990 060
|
1.08
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
1 568
|
94.02
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
|
2 508
|
86.16
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
16 059
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
564
|
|
|