Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 40V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 120mA (DC) |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
400
|
6.05
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
11 559
|
3.22
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
3 060
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 800
|
1.11
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
630
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 800
|
1.11
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
1 648
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
INFINEON
|
800
|
6.05
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
YJ
|
18 263
|
1.25
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JSCJ
|
17 961
|
1.03
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
HOTTECH
|
1 939
|
1.36
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
74 912
|
1.12
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
8 418
|
2.13
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
5.75
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
34 061
|
2.47
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
1 420 055
|
1.38
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 013 668
|
1.21
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
101
|
1.72
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
1 415 073
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
1 144
|
113.65
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
|
3 608
|
79.10
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
16 059
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
INFINEON
|
6 288
|
96.34
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
MICRON
|
139
|
150.57
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
|
|
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
MICRON TECHNOLOGY,INC
|
|
|
|
|
|
M25P80-VMN6TP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
270
|
|
|
|
|
P89LPC935FDH,529 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
P89LPC935FDH,529 |
|
|
NXP
|
|
|
|