| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
400
|
7.03
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
11 002
|
1.35
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
3 060
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 400
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
630
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 400
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
1 648
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
INFINEON
|
800
|
7.03
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
YJ
|
7 570
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JSCJ
|
20 687
|
1.13
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
HOTTECH
|
314
|
1.23
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
70 256
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 196
|
2.60
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
29 424
|
2.67
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
38
|
5.83
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
212
|
2.81
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
308 123
|
1.09
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
2 210 676
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
5
|
1.60
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
880 846
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
3611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
RUME
|
38 480
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
1 096
|
78.52
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
|
2 012
|
107.45
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
16 059
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
564
|
|
|
|
|
P89LPC935FDH,529 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
P89LPC935FDH,529 |
|
|
NXP
|
|
|
|