| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
400
|
7.03
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
11 055
|
1.30
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
3 060
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 400
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
630
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
52 400
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
1 648
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
INFINEON
|
800
|
7.03
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
YJ
|
10 994
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JSCJ
|
20 719
|
1.16
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
HOTTECH
|
413
|
1.30
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
71 306
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 196
|
2.77
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
37 033
|
1.48
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
38
|
5.52
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
2 148
|
2.98
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
303 888
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
2 463 884
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
85
|
1.66
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
14 824
|
1.15
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
695 217
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KEEN SIDE
|
192
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
3611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
611
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
RUME
|
80
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
361
|
154.98
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
|
420
|
93.86
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
16 059
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
564
|
|
|
|
|
P89LPC935FDH,529 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
P89LPC935FDH,529 |
|
|
NXP
|
|
|
|