BD6775EFV-E2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BD6775EFV-E2 (4-7 НЕДЕЛЬ)	436	3-4 недели Цена по запросу

IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24

Версия для печати

Технические характеристики BD6775EFV-E2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип	H Bridge
Тип входа	Non-Inverting
Число выходов	4
Сопротивление (On-State)	3 Ohm
Ток выходной / канал	500mA
Ток - выходной (пиковое значение)	800mA
Напряжение питания	4.5 V ~ 6 V
Рабочая температура	-20°C ~ 75°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	24-TSSOP Exposed Pad, 24-eTSSOP, 24-HTSSOP
Корпус	24-HTSSOP-B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BD6775EFV-E2 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206 - 1 ОМ 5% RC1206JR-071RL (RS-06L1R0JT)		FENGHUA	32	0.72 >500 шт. 0.24
ECAP SMD, 10 МКФ, 50В		КИТАЙ
ECAP SMD, 220 МКФ, 50В		КИТАЙ
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FAIR
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	KEMET
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FSC
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FAIRCHILD
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FAIRCHILD	1 542
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А		9 600	3.77
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	Fairchild Semiconductor
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	КИТАЙ
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	ONS
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	ONS-FAIR
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	TECH PUB	2 819	2.92
IRF7351TRPBF		International Rectifier
IRF7351TRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER	51
IRF7351TRPBF		INFINEON	4 320	61.99
IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF		UMW	1 120	52.69