IRF7351TRPBF
|
MOSFET N-CH DUAL 60V 8A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 - 47 КОМ 5% RC0603JR-0747KL (RS-03K473JT) | FENGHUA |
|
|
|||||
| 6.0000 MHZ HC-49SM | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| 6.0000 MHZ HC-49SM | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
 |
 |
BD6775EFV-E2 |
|
Rohm Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
BD6775EFV-E2 |
|
|
|
|||
|
|
|
BD6775EFV-E2 |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 436 |
|
||
| HC49SM-12.000MHZ-20PF CALTRON |
|
|
||||||
 |
|
SLW28S-1C7LF |
|
FCI |
|
|
