IRF7351TRPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF7351TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	51	3-4 недели Цена по запросу
IRF7351TRPBF (INFINEON)	4 240	59.93
IRF7351TRPBF	1 600	53.68
IRF7351TRPBF (UMW)	1 120	50.63

MOSFET N-CH DUAL 60V 8A 8-SOIC

Версия для печати

Технические характеристики IRF7351TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8 mOhm @ 8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1330pF @ 30V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7351TRPBF datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 - 10 КОМ 5% RC0805JR-0710KL (RS-05K103JT)		FENGHUA
1206 - 1 ОМ 5% RC1206JR-071RL (RS-06L1R0JT)		FENGHUA
ECAP SMD, 220 МКФ, 50В		КИТАЙ
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FAIR
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	KEMET
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FSC
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FAIRCHILD
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	FAIRCHILD	1 542
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А		9 600	3.48
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	Fairchild Semiconductor
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	КИТАЙ
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	ONS
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	ONS-FAIR
FDN360P	MOSFET транзистор Р - канальный, 30В, 2А	TECH PUB	2 790	3.09
HPM14A	PBF пьезоизлучатель 14мм, 12В
HPM14A	PBF пьезоизлучатель 14мм, 12В	JLW	3 055	56.57
HPM14A	PBF пьезоизлучатель 14мм, 12В	JL WORLD
HPM14A	PBF пьезоизлучатель 14мм, 12В
HPM14A	PBF пьезоизлучатель 14мм, 12В