|
MOSFET N-CH DUAL 60V 8A 8-SOIC |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 - 39 КОМ 5% RC0603JR-0739KL (RS-03K393JT) | FENGHUA |
|
|
|||||
| 0603-X7R-0.22UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| 0603-X7R-0.22UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.22 мкФ 50 В |
|
1.96 | ||||
|
|
CC0603JRNPO9BN330 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 33 пф,NPO, (5%),0603 | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
CC0603JRNPO9BN330 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 33 пф,NPO, (5%),0603 | YAGEO | 358 047 |
0.65 >1000 шт. 0.13 |
||
|
|
CC0603JRNPO9BN330 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 33 пф,NPO, (5%),0603 | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
CC0603JRNPO9BN330 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 33 пф,NPO, (5%),0603 | YAGEO |
|
|
||
|
|
CC0603JRNPO9BN330 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 33 пф,NPO, (5%),0603 |
|
|
|||
|
|
|
KPTD-3216SYCK |
|
KB |
|
|
||
|
|
|
KPTD-3216SYCK |
|
KINGBRIGHT |
|
|
||
|
|
|
KPTD-3216SYCK |
|
|
16.00 | |||
|
|
|
KPTD-3216SYCK |
|
KGB | 8 462 | 8.72 | ||
|
|
|
KPTD-3216SYCK |
|
КИТАЙ |
|
|
||
| RS-05K162JT | FENGHUA | 100 000 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |