| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
8 024
|
42.36
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
|
412
|
44.40
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
UMW
|
1 120
|
12.40
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
YOUTAI
|
8 317
|
13.01
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
103
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
530
|
|
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
|
|
546.92
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SGW25N120 |
|
Транзистор IGBT (Vce=1200V, Ic=46A@t=25C, Ic=25A@t=100C, P=313W, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 958
|
44.75
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
UTC
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ОРБИТА
|
8
|
64.03
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
|
15 836
|
15.71
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
TSL
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
САРАНСК
|
381
|
35.80
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
MEV
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA2003 |
|
Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
360
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
49
|
46.85
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
424
|
25.76
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
|
464
|
62.56
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
888
|
144.65
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 455
|
71.60
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
245
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
4618
|
|
|
|