Версия для печати
Технические характеристики SGW25N120

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 25A
Current - Collector (Ic) (Max)	46A
Power - Max	313W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	PG-TO247-3

SGW25N120 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Fast IGBT In Npt-technology Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SGW25N120 datasheet 384.78Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	ATMEL
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power			271.00
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	ПУЭРТО РИКО
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	MICRO CHIP
		ATMEGA8515L-8PU		AVR 8K-Flash/512-RAM/512-EEPROM, Low Power	4-7 НЕДЕЛЬ	264
		L7809CV			ST MICROELECTRONICS	8 184	50.56
		L7809CV				450	44.40
		L7809CV			STMicroelectronics
		L7809CV			МАРОККО
		L7809CV			ST MICROELECTR
		L7809CV			КИТАЙ
		L7809CV			STMICROELECTR
		L7809CV			UMW	1 280	13.43
		L7809CV			YOUTAI	4 860	11.31
		L7809CV			4-7 НЕДЕЛЬ	103
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST MICROELECTRONICS	1 958	52.50
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	UTC
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ОРБИТА	8	58.59
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А		15 836	17.01
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	TSL
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	САРАНСК	381	42.00
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	КИТАЙ
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	MEV
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	STMICROELECTR
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	SEMICONDUCTORS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	4-7 НЕДЕЛЬ	360
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	35.91
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		694	33.12
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный		924	73.60
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	960	144.65
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 946	84.00
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ818Г		Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"